Transistor NPN 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V

Transistor NPN 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V

Cantidad
Precio unitario
1-4
8.15€
5-24
7.29€
25-49
6.70€
50-99
6.25€
100+
5.56€
Cantidad en inventario: 145

Transistor NPN 2N5886, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Costo): 500pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 4 MHz. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 50A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2N5884. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Temperatura: +200°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Tf(máx.): 0.8us. Tf(mín.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:37

Documentación técnica (PDF)
2N5886
27 parámetros
Corriente del colector
25A
Vivienda
TO-3 ( TO-204 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-3
Tensión colector/emisor Vceo
80V
Cantidad por caja
1
Costo)
500pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
4 MHz
Ganancia máxima de hFE
100
Ganancia mínima de hFE
20
Ic (pulso)
50A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
200W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) 2N5884
Temperatura de funcionamiento
-65...+200°C
Temperatura
+200°C
Tensión de saturación VCE(sat)
1V
Tf(máx.)
0.8us
Tf(mín.)
0.8us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
80V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor