Transistor NPN 2N6517, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V

Transistor NPN 2N6517, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.22€
5-49
0.19€
50-99
0.16€
100-199
0.15€
200+
0.13€
Cantidad en inventario: 345

Transistor NPN 2N6517, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Cantidad por caja: 1. Costo): 6pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Función: -. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 20. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementario (par) 2N6520. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial NPN. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Velocidad: 6V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:37

Documentación técnica (PDF)
2N6517
22 parámetros
Corriente del colector
0.5A
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92
Tensión colector/emisor Vceo
350V
Cantidad por caja
1
Costo)
6pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
40MHz (min), 200MHz (max)
Ganancia máxima de hFE
200
Ganancia mínima de hFE
20
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.625W
Spec info
transistor complementario (par) 2N6520
Tecnología
Transistor de silicio epitaxial NPN
Tensión de saturación VCE(sat)
0.3V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
1V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
350V
Velocidad
6V
Producto original del fabricante
Fairchild