Transistor NPN 2N6520, -350V, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V

Transistor NPN 2N6520, -350V, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0870€
50-99
0.0757€
100-199
0.0683€
200+
0.0578€
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Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 155
Mín.: 10

Transistor NPN 2N6520, -350V, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Voltaje colector-emisor VCEO: -350V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. C(pulg): 100pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 6pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 200 MHz. Frecuencia máxima: 40MHz. Función: -. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 15. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Polaridad: PNP. Potencia: 0.63W. Spec info: transistor complementario (par) 2N6517. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Cdil. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:37

Documentación técnica (PDF)
2N6520
27 parámetros
Voltaje colector-emisor VCEO
-350V
Corriente del colector
0.5A
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92
Tensión colector/emisor Vceo
350V
C(pulg)
100pF
Cantidad por caja
1
Costo)
6pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
200 MHz
Frecuencia máxima
40MHz
Ganancia máxima de hFE
200
Ganancia mínima de hFE
15
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.625W
Polaridad
PNP
Potencia
0.63W
Spec info
transistor complementario (par) 2N6517
Tensión de saturación VCE(sat)
0.3V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
350V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Cdil
Cantidad mínima
10

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