Transistor NPN 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V

Transistor NPN 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V

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Precio unitario
1-4
0.20€
5-49
0.16€
50-99
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100-199
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200+
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Transistor NPN 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Corriente del colector: 0.15A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92, 2-5F1B. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Costo): 4pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 80 MHz. Función: amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SC1162. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT). Temperatura de funcionamiento: -...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.3V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:37

Documentación técnica (PDF)
2SA1015GR
26 parámetros
Corriente del colector
0.15A
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92, 2-5F1B
Tensión colector/emisor Vceo
50V
Cantidad por caja
1
Costo)
4pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
80 MHz
Función
amplificador de audio
Ganancia máxima de hFE
400
Ganancia mínima de hFE
200
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.4W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) 2SC1162
Tecnología
Tipo epitaxial (proceso PCT)
Temperatura de funcionamiento
-...+125°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.1V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
0.3V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
50V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Toshiba