Transistor NPN 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V

Transistor NPN 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0937€
50-99
0.0805€
100-199
0.0708€
200+
0.0567€
Cantidad en inventario: 8959
Mín.: 10

Transistor NPN 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 0.15A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Costo): 4pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 80 MHz. Función: hFE.120-240. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Marcado en la caja: 1015 Y. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SC1815Y. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT). Temperatura de funcionamiento: -...+125°C. Temperatura: +125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:37

Documentación técnica (PDF)
2SA1015Y
28 parámetros
Corriente del colector
0.15A
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92
Tensión colector/emisor Vceo
50V
Cantidad por caja
1
Costo)
4pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
80 MHz
Función
hFE.120-240
Ganancia máxima de hFE
240
Ganancia mínima de hFE
120
Marcado en la caja
1015 Y
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.4W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) 2SC1815Y
Tecnología
Tipo epitaxial (proceso PCT)
Temperatura de funcionamiento
-...+125°C
Temperatura
+125°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
50V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Toshiba
Cantidad mínima
10