Transistor NPN 2SA1358Y, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F (2-8A1H). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Costo): 30pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 120 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3421Y. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT). Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:37