Transistor NPN 2SA1360, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V

Transistor NPN 2SA1360, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.37€
5-9
1.11€
10-24
0.95€
25-49
0.85€
50+
0.72€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 52

Transistor NPN 2SA1360, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): 2-8H1A. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Costo): 2.5pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 200 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 80. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 5W. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3423. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:37

Documentación técnica (PDF)
2SA1360
22 parámetros
Corriente del colector
0.05A
Vivienda
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Vivienda (según ficha técnica)
2-8H1A
Tensión colector/emisor Vceo
150V
Cantidad por caja
1
Costo)
2.5pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
200 MHz
Función
NF-L
Ganancia máxima de hFE
240
Ganancia mínima de hFE
80
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
5W
Spec info
transistor complementario (par) 2SC3423
Temperatura de funcionamiento
-...+150°C
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
150V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Toshiba

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