Transistor NPN 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V

Transistor NPN 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.17€
5-24
1.94€
25-49
1.79€
50-99
1.65€
100+
1.38€
Cantidad en inventario: 17

Transistor NPN 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 200V. C(pulg): 1.7pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 2.6pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 150 MHz. Función: video. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 200mA. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Tecnología: Transistor plano epitaxial. Temperatura: +150°C. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Sanyo. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:37

Documentación técnica (PDF)
2SA1370
25 parámetros
Corriente del colector
100mA
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92M ( 9mm )
Tensión colector/emisor Vceo
200V
C(pulg)
1.7pF
Cantidad por caja
1
Costo)
2.6pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
150 MHz
Función
video
Ganancia máxima de hFE
320
Ganancia mínima de hFE
40
Ic (pulso)
200mA
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
1W
Tecnología
Transistor plano epitaxial
Temperatura
+150°C
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
0.6V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
200V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Sanyo