Transistor NPN 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V

Transistor NPN 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.44€
5-24
1.22€
25-49
1.08€
50-99
1.00€
100+
0.88€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 172

Transistor NPN 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 140 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: B647. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SD667. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Renesas Technology. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 03:51

Documentación técnica (PDF)
2SB647
25 parámetros
Corriente del colector
1A
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92M ( 9mm )
Tensión colector/emisor Vceo
80V
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
140 MHz
Función
propósito general
Ganancia máxima de hFE
200
Ganancia mínima de hFE
100
Ic (pulso)
2A
Marcado en la caja
B647
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.9W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) 2SD667
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
120V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Renesas Technology

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