Transistor NPN 2SB647-SMD, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 140 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 2A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. RoHS: sí. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Velocidad: 5V. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 03:51