Transistor NPN 2SB649A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V

Transistor NPN 2SB649A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.44€
5-24
1.22€
25-49
1.06€
50-99
0.93€
100+
0.71€
Cantidad en inventario: 84

Transistor NPN 2SB649A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Costo): 27pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 140 MHz. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 100. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SD669A. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Unisonic Technologies Co. Ltd. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 03:51

Documentación técnica (PDF)
2SB649A
22 parámetros
Corriente del colector
1.5A
Vivienda
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Vivienda (según ficha técnica)
TO-126
Tensión colector/emisor Vceo
160V
Cantidad por caja
1
Costo)
27pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
140 MHz
Ganancia máxima de hFE
200
Ganancia mínima de hFE
100
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
1W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) 2SD669A
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
180V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Unisonic Technologies Co