Transistor NPN 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V

Transistor NPN 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.35€
5-9
1.99€
10-24
1.77€
25-49
1.63€
50+
1.47€
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Cantidad en inventario: 53

Transistor NPN 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Corriente del colector Ic [A]: 8A, 12A. FT: 10 MHz. Frecuencia: 10MHz, 15MHz. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 55. Ganar hfe: 20...200. Marcado en la caja: B668. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Polaridad: bipolar. Potencia: 100W. Spec info: transistor complementario (par) 2SD718. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Velocidad: 5V. Voltaje (coleccionista - emisor): 120V, 140V. Producto original del fabricante: Korea Electronics Semi. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 03:51

Documentación técnica (PDF)
2SB688
26 parámetros
Vivienda
TO-3PN ( 2-16C1B )
Corriente del colector
8A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-3PN
Tensión colector/emisor Vceo
120V
Cantidad por caja
1
Corriente del colector Ic [A]
8A, 12A
FT
10 MHz
Frecuencia
10MHz, 15MHz
Ganancia máxima de hFE
160
Ganancia mínima de hFE
55
Ganar hfe
20...200
Marcado en la caja
B668
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
80W
Polaridad
bipolar
Potencia
100W
Spec info
transistor complementario (par) 2SD718
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
2.5V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
120V
Velocidad
5V
Voltaje (coleccionista - emisor)
120V, 140V
Producto original del fabricante
Korea Electronics Semi.