Transistor NPN 2SB709, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V

Transistor NPN 2SB709, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.74€
5-24
0.63€
25-49
0.56€
50-99
0.51€
100+
0.44€
Cantidad en inventario: 18

Transistor NPN 2SB709, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): MINI MOLD. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Costo): 2.7pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 80 MHz. Ganancia máxima de hFE: 460. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 0.2A. Marcado en la caja: AQ. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). RoHS: no. Spec info: transistor complementario (par) 2SD601. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Matsushita. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 03:51

Documentación técnica (PDF)
2SB709
23 parámetros
Corriente del colector
0.1A
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
MINI MOLD
Tensión colector/emisor Vceo
25V
Cantidad por caja
1
Costo)
2.7pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
80 MHz
Ganancia máxima de hFE
460
Ganancia mínima de hFE
160
Ic (pulso)
0.2A
Marcado en la caja
AQ
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
RoHS
no
Spec info
transistor complementario (par) 2SD601
Tensión de saturación VCE(sat)
0.3V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
0.5V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
25V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Matsushita