Transistor NPN 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

Transistor NPN 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.74€
5-49
0.64€
50-99
0.57€
100-199
0.51€
200+
0.44€
Cantidad en inventario: 78

Transistor NPN 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Costo): 3pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Marcado en la caja: C224GR. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA970GR. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT). Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Velocidad: 5V. ¿Transistor Darlington?: no. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:13

Documentación técnica (PDF)
2SC2240GR
26 parámetros
Corriente del colector
0.1A
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92
Tensión colector/emisor Vceo
120V
Cantidad por caja
1
Costo)
3pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
100 MHz
Ganancia máxima de hFE
400
Ganancia mínima de hFE
200
Marcado en la caja
C224GR
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.3W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) 2SA970GR
Tecnología
Tipo epitaxial (proceso PCT)
Temperatura de funcionamiento
-55...+125°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.3V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
120V
Velocidad
5V
¿Transistor Darlington?
no
Producto original del fabricante
Toshiba