Transistor NPN 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V

Transistor NPN 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.49€
5-19
3.11€
20-39
2.88€
40-59
2.63€
60+
1.98€
Cantidad en inventario: 285

Transistor NPN 2SC2713-GR, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 700. Ganancia mínima de hFE: 200. Marcado en la caja: DG. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD DG. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150mW. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1163. Tensión de saturación VCE(sat): 300mV. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:13

2SC2713-GR
21 parámetros
Corriente del colector
0.1A
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensión colector/emisor Vceo
120V
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
100 MHz
Ganancia máxima de hFE
700
Ganancia mínima de hFE
200
Marcado en la caja
DG
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Nota
serigrafía/código SMD DG
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
150mW
Spec info
transistor complementario (par) 2SA1163
Tensión de saturación VCE(sat)
300mV
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
120V
Producto original del fabricante
Toshiba