Transistor NPN 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V

Transistor NPN 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V

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Transistor NPN 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. FT: 120 MHz. Función: Conmutación de alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 70. Ic (pulso): 8A. Marcado en la caja: C3303. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT). Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tf(máx.): 0.1us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Velocidad: 7V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:13

Documentación técnica (PDF)
2SC3303
24 parámetros
Corriente del colector
5A
Vivienda
TO-251 ( I-Pak )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Tensión colector/emisor Vceo
80V
Cantidad por caja
1
FT
120 MHz
Función
Conmutación de alta velocidad
Ganancia máxima de hFE
240
Ganancia mínima de hFE
70
Ic (pulso)
8A
Marcado en la caja
C3303
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
20W
Tecnología
Tipo epitaxial (proceso PCT)
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.2V
Tf(máx.)
0.1us
Tf(mín.)
0.1us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
100V
Velocidad
7V
Producto original del fabricante
Toshiba