Transistor NPN 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V

Transistor NPN 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.29€
5-29
2.90€
30-59
2.67€
60+
2.52€
Cantidad en inventario: 11

Transistor NPN 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PB. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. FT: 15 MHz. Función: Aplicaciones del regulador de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 20A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Velocidad: 7V. Producto original del fabricante: Sanyo. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:13

Documentación técnica (PDF)
2SC3460
23 parámetros
Corriente del colector
6A
Vivienda
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-3PB
Tensión colector/emisor Vceo
800V
Cantidad por caja
1
FT
15 MHz
Función
Aplicaciones del regulador de conmutación
Ganancia máxima de hFE
40
Ganancia mínima de hFE
10
Ic (pulso)
20A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
100W
RoHS
Tecnología
Transistor de silicio plano triple difuso
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
2V
Tf(máx.)
0.3us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1100V
Velocidad
7V
Producto original del fabricante
Sanyo