Transistor NPN 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Transistor NPN 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.50€
5-24
2.18€
25-49
1.94€
50+
1.71€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 106

Transistor NPN 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): 2-16E3A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Diodo CE: sí. FT: 1.7 MHz. Función: MONITOR HA,Hi-res. Ganancia máxima de hFE: 30. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 20A. Marcado en la caja: C5129. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: tiempo de caída 0.15..03us (64kHz). Tecnología: Tipo MESA de triple difusión. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:12

Documentación técnica (PDF)
2SC5129
27 parámetros
Corriente del colector
10A
Vivienda
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Vivienda (según ficha técnica)
2-16E3A
Tensión colector/emisor Vceo
600V
Cantidad por caja
1
Diodo CE
FT
1.7 MHz
Función
MONITOR HA,Hi-res
Ganancia máxima de hFE
30
Ganancia mínima de hFE
10
Ic (pulso)
20A
Marcado en la caja
C5129
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
50W
RoHS
Spec info
tiempo de caída 0.15..03us (64kHz)
Tecnología
Tipo MESA de triple difusión
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
3V
Tf(máx.)
0.3us
Tf(mín.)
0.15us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1500V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Toshiba

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