Transistor NPN 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V

Transistor NPN 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.08€
5-9
2.79€
10-24
2.58€
25-49
2.39€
50+
2.17€
Cantidad en inventario: 75

Transistor NPN 2SC5198-TOS, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1B. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Cantidad por caja: 1. Costo): 170pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 30 MHz. Función: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 80. Marcado en la caja: C5198 O. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1941. Tecnología: Transistor plano triple difuso. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:12

Documentación técnica (PDF)
2SC5198-TOS
27 parámetros
Corriente del colector
10A
Vivienda
TO-3PN ( 2-16C1B )
Vivienda (según ficha técnica)
2-16C1B
Tensión colector/emisor Vceo
140V
Cantidad por caja
1
Costo)
170pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
30 MHz
Función
Amplificador de potencia de alta fidelidad
Ganancia máxima de hFE
160
Ganancia mínima de hFE
80
Marcado en la caja
C5198 O
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
100W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) 2SA1941
Tecnología
Transistor plano triple difuso
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.3V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
2V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
140V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Toshiba