Transistor NPN 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V

Transistor NPN 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V

Cantidad
Precio unitario
1-4
5.17€
5-9
4.70€
10-24
4.35€
25-49
4.07€
50+
3.69€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 5

Transistor NPN 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PMLH. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Diodo CE: sí. FT: kHz. Función: alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 11. Ganancia mínima de hFE: 3. Ic (pulso): 36A. Marcado en la caja: C5696. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. Resistencia BE: sí. RoHS: sí. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Velocidad: 5V. ¿Transistor Darlington?: no. Producto original del fabricante: Sanyo. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:12

Documentación técnica (PDF)
2SC5696
27 parámetros
Corriente del colector
12A
Vivienda
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Vivienda (según ficha técnica)
TO-3PMLH
Tensión colector/emisor Vceo
800V
Cantidad por caja
1
Diodo CE
FT
kHz
Función
alta velocidad
Ganancia máxima de hFE
11
Ganancia mínima de hFE
3
Ic (pulso)
36A
Marcado en la caja
C5696
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
85W
Resistencia BE
RoHS
Tecnología
Transistor de silicio plano triple difuso
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
3V
Tf(máx.)
0.3us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1600V
Velocidad
5V
¿Transistor Darlington?
no
Producto original del fabricante
Sanyo

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