Transistor NPN 2SD1062, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V

Transistor NPN 2SD1062, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.20€
5-24
1.02€
25-49
0.91€
50+
0.77€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 10

Transistor NPN 2SD1062, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. FT: 10 MHz. Función: inversores de alta velocidad, convertidores, low-sat. Ganancia máxima de hFE: 280. Ganancia mínima de hFE: 70. Ic (pulso): 15A. Marcado en la caja: D1062. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB826. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tf(máx.): 1.2us. Tf(mín.): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Velocidad: 6V. Producto original del fabricante: Sanyo. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:12

Documentación técnica (PDF)
2SD1062
24 parámetros
Corriente del colector
12A
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Tensión colector/emisor Vceo
50V
Cantidad por caja
1
FT
10 MHz
Función
inversores de alta velocidad, convertidores, low-sat
Ganancia máxima de hFE
280
Ganancia mínima de hFE
70
Ic (pulso)
15A
Marcado en la caja
D1062
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
40W
Spec info
transistor complementario (par) 2SB826
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.4V
Tf(máx.)
1.2us
Tf(mín.)
0.4us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
60V
Velocidad
6V
Producto original del fabricante
Sanyo

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