Transistor NPN 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

Transistor NPN 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.92€
5-24
0.73€
25-49
0.65€
50+
0.57€
Cantidad en inventario: 56

Transistor NPN 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. FT: 150 MHz. Función: Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación. Ganancia máxima de hFE: 280. Ganancia mínima de hFE: 140. Ic (pulso): 6A. Marcado en la caja: DG. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD DG. Tecnología: Transistores de silicio planos epitaxiales. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.35V. Tf(máx.): 35 ns. Tf(mín.): 35 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Velocidad: 6V. Producto original del fabricante: Sanyo. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 07:46

Documentación técnica (PDF)
2SD1624S
26 parámetros
Corriente del colector
3A
Vivienda
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-89
Tensión colector/emisor Vceo
50V
Cantidad por caja
1
FT
150 MHz
Función
Conmutación de alta corriente, voltaje de baja saturación
Ganancia máxima de hFE
280
Ganancia mínima de hFE
140
Ic (pulso)
6A
Marcado en la caja
DG
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.5W
RoHS
Spec info
serigrafía/código SMD DG
Tecnología
Transistores de silicio planos epitaxiales
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.35V
Tf(máx.)
35 ns
Tf(mín.)
35 ns
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
60V
Velocidad
6V
Producto original del fabricante
Sanyo