Transistor NPN 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V

Transistor NPN 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.44€
5-9
0.33€
10-24
0.28€
25+
0.25€
Cantidad en inventario: 850

Transistor NPN 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89. Tensión colector/emisor Vceo: 32V. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. FT: 150 MHz. Función: transistores bipolares. Ganancia máxima de hFE: 270. Ganancia mínima de hFE: 120. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: DAQ. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Spec info: Serigrafía/código SMD DAQ. Tecnología: Tipo plano epitaxial. Temperatura de funcionamiento: +55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Tipo de transistor: NPN. Unidad de acondicionamiento: 1000. Vcbo: 40V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: ROHM. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 07:46

Documentación técnica (PDF)
2SD1664Q
26 parámetros
Corriente del colector
1A
Vivienda
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-89
Tensión colector/emisor Vceo
32V
Acondicionamiento
rollo
Cantidad por caja
1
FT
150 MHz
Función
transistores bipolares
Ganancia máxima de hFE
270
Ganancia mínima de hFE
120
Ic (pulso)
2A
Marcado en la caja
DAQ
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.5W
RoHS
Spec info
Serigrafía/código SMD DAQ
Tecnología
Tipo plano epitaxial
Temperatura de funcionamiento
+55...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.15V
Tipo de transistor
NPN
Unidad de acondicionamiento
1000
Vcbo
40V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
ROHM