Transistor NPN 2SD2012, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): 2-10R1A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Costo): 35pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): -. Marcado en la caja: D2012. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1366. Tecnología: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Velocidad: 7V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 07:46