Transistor NPN 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V

Transistor NPN 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V

Cantidad
Precio unitario
1-4
4.42€
5-24
4.19€
25-49
3.99€
50+
3.75€
Cantidad en inventario: 8

Transistor NPN 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 1A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Corriente del colector Ic [A]: 1A. FT: 130 MHz. Frecuencia: 130MHz. Función: Amplificador de potencia de baja frecuencia. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 2A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 8W. Polaridad: bipolar. Potencia: 8W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB631K. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Tf(máx.): 100 ns. Tf(mín.): 100 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Velocidad: 5V. Voltaje (coleccionista - emisor): 120V. Producto original del fabricante: Sanyo. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:24

Documentación técnica (PDF)
2SD600K
28 parámetros
Vivienda
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Corriente del colector
1A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-126
Tensión colector/emisor Vceo
120V
Cantidad por caja
1
Corriente del colector Ic [A]
1A
FT
130 MHz
Frecuencia
130MHz
Función
Amplificador de potencia de baja frecuencia
Ganancia máxima de hFE
320
Ganancia mínima de hFE
20
Ic (pulso)
2A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
8W
Polaridad
bipolar
Potencia
8W
Spec info
transistor complementario (par) 2SB631K
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.15V
Tf(máx.)
100 ns
Tf(mín.)
100 ns
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
120V
Velocidad
5V
Voltaje (coleccionista - emisor)
120V
Producto original del fabricante
Sanyo