Transistor NPN 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V

Transistor NPN 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.01€
5-24
0.85€
25-49
0.73€
50-99
0.64€
100+
0.52€
Cantidad en inventario: 72

Transistor NPN 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. FT: 140 MHz. Función: Amplificador de potencia de baja frecuencia. Ganancia máxima de hFE: 120. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: D667. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: 9mm. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementario (par) 2SB647. Tecnología: Silicon NPN Epitaxial. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Hitachi. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:24

Documentación técnica (PDF)
2SD667
24 parámetros
Corriente del colector
1A
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92MOD ( 2-5J1A )
Tensión colector/emisor Vceo
80V
Cantidad por caja
1
FT
140 MHz
Función
Amplificador de potencia de baja frecuencia
Ganancia máxima de hFE
120
Ganancia mínima de hFE
60
Ic (pulso)
2A
Marcado en la caja
D667
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Nota
9mm
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.9W
Spec info
transistor complementario (par) 2SB647
Tecnología
Silicon NPN Epitaxial
Temperatura de funcionamiento
-50...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
1V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
120V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Hitachi