Transistor NPN 2SD718, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V

Transistor NPN 2SD718, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.33€
5-9
2.99€
10-24
2.74€
25-49
2.57€
50+
2.29€
Cantidad en inventario: 75

Transistor NPN 2SD718, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 12 MHz. Función: amplificador de potencia de audio. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 55. Ic (pulso): 10A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SB688. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Korea Electronics Semi. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:24

2SD718
24 parámetros
Corriente del colector
8A
Vivienda
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-3P
Tensión colector/emisor Vceo
120V
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
12 MHz
Función
amplificador de potencia de audio
Ganancia máxima de hFE
160
Ganancia mínima de hFE
55
Ic (pulso)
10A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
80W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) 2SB688
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
2V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
120V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Korea Electronics Semi.