Transistor NPN BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

Transistor NPN BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0809€
50-99
0.0696€
100-199
0.0596€
200+
0.0465€
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Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 845
Mín.: 10

Transistor NPN BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Voltaje colector-emisor VCEO: -50V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 280 MHz. Frecuencia máxima: 280MHz. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 200. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 350mW. Polaridad: PNP. Potencia: 1W. RoHS: sí. Tecnología: Transistor plano epitaxial. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Velocidad: 5V. ¿Transistor Darlington?: no. Producto original del fabricante: Cdil. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:56

Documentación técnica (PDF)
BC212B
28 parámetros
Voltaje colector-emisor VCEO
-50V
Corriente del colector
100mA
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92
Tensión colector/emisor Vceo
50V
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
280 MHz
Frecuencia máxima
280MHz
Ganancia máxima de hFE
400
Ganancia mínima de hFE
200
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
350mW
Polaridad
PNP
Potencia
1W
RoHS
Tecnología
Transistor plano epitaxial
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
60V
Velocidad
5V
¿Transistor Darlington?
no
Producto original del fabricante
Cdil
Cantidad mínima
10

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