Transistor NPN BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V

Transistor NPN BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V

Cantidad
Precio unitario
10-99
0.0509€
100-199
0.0446€
200-499
0.0394€
500+
0.0330€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 237
Mín.: 10

Transistor NPN BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 65V. Cantidad por caja: 1. Costo): 6pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 150 MHz. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 420. Ic (pulso): 200mA. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Tecnología: Transistor epitaxial plano. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Velocidad: 6V. Producto original del fabricante: Lge Technology. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:34

Documentación técnica (PDF)
BC546C
25 parámetros
Corriente del colector
100mA
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92
Tensión colector/emisor Vceo
65V
Cantidad por caja
1
Costo)
6pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
150 MHz
Ganancia máxima de hFE
800
Ganancia mínima de hFE
420
Ic (pulso)
200mA
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.625W
RoHS
Tecnología
Transistor epitaxial plano
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.25V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
80V
Velocidad
6V
Producto original del fabricante
Lge Technology
Cantidad mínima
10

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