Transistor NPN BC636, 1A, TO-92, TO-92, 45V

Transistor NPN BC636, 1A, TO-92, TO-92, 45V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0468€
50-99
0.0413€
100+
0.0397€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 1210
Mín.: 10

Transistor NPN BC636, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. C(pulg): 110pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 9pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 70 MHz. Fecha de producción: 1997.04. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 800mW. Tecnología: Transistor epitaxial plano. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Cdil. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:34

Documentación técnica (PDF)
BC636
25 parámetros
Corriente del colector
1A
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92
Tensión colector/emisor Vceo
45V
C(pulg)
110pF
Cantidad por caja
1
Costo)
9pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
70 MHz
Fecha de producción
1997.04
Ganancia máxima de hFE
250
Ganancia mínima de hFE
40
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
800mW
Tecnología
Transistor epitaxial plano
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.5V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
45V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Cdil
Cantidad mínima
10

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