Transistor NPN BC639, TO-92, 1A, 1A, TO-92, 80V

Transistor NPN BC639, TO-92, 1A, 1A, TO-92, 80V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.21€
5-49
0.18€
50-99
0.15€
100-199
0.14€
200+
0.11€
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Cantidad en inventario: 245

Transistor NPN BC639, TO-92, 1A, 1A, TO-92, 80V. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. Corriente del colector: 1A. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. C(pulg): 50pF. Cantidad por caja: 1. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 1A. Costo): 7pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. FT: 130 MHz. Familia de componentes: transistor NPN. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Frecuencia: 200MHz. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 40. Ganar hfe: 40...250. Marcado del fabricante: BC639. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Polaridad: bipolar. Potencia: 0.8/2.75W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC640. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Voltaje (coleccionista - emisor): 80V. Producto original del fabricante: Lge Technology. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:34

Documentación técnica (PDF)
BC639
38 parámetros
Vivienda
TO-92
Corriente de colector Ic [A], máx.
1A
Corriente del colector
1A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92
Tensión colector/emisor Vceo
80V
C(pulg)
50pF
Cantidad por caja
1
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente del colector Ic [A]
1A
Costo)
7pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Disipación máxima Ptot [W]
0.625W
FT
130 MHz
Familia de componentes
transistor NPN
Frecuencia de corte pies [MHz]
200 MHz
Frecuencia
200MHz
Ganancia máxima de hFE
160
Ganancia mínima de hFE
40
Ganar hfe
40...250
Marcado del fabricante
BC639
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.625W
Polaridad
bipolar
Potencia
0.8/2.75W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) BC640
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión colector-emisor Uceo [V]
80V
Tensión de saturación VCE(sat)
0.5V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
80V
Vivienda (norma JEDEC)
TO-226AA
Voltaje (coleccionista - emisor)
80V
Producto original del fabricante
Lge Technology