Transistor NPN BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V

Transistor NPN BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.18€
5-49
0.15€
50-99
0.13€
100-199
0.12€
200+
0.10€
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Cantidad en inventario: 116

Transistor NPN BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 1A. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Acondicionamiento: Ammo Pack. C(pulg): 110pF. Cantidad por caja: 1. Corriente del colector Ic [A]: 1A. Costo): 9pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 150 MHz. Frecuencia: 150MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 100. Ganar hfe: 100...250. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 800mW. Polaridad: bipolar. Potencia: 0.8/2.75W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BC639-16. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Velocidad: 5V. Voltaje (coleccionista - emisor): 80V. ¿Transistor Darlington?: no. Producto original del fabricante: Cdil. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:34

BC640-16
31 parámetros
Vivienda
TO-92
Corriente del colector
1A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92
Tensión colector/emisor Vceo
80V
Acondicionamiento
Ammo Pack
C(pulg)
110pF
Cantidad por caja
1
Corriente del colector Ic [A]
1A
Costo)
9pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
150 MHz
Frecuencia
150MHz
Ganancia máxima de hFE
250
Ganancia mínima de hFE
100
Ganar hfe
100...250
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
800mW
Polaridad
bipolar
Potencia
0.8/2.75W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) BC639-16
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
0.5V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
80V
Velocidad
5V
Voltaje (coleccionista - emisor)
80V
¿Transistor Darlington?
no
Producto original del fabricante
Cdil