Transistor NPN BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V

Transistor NPN BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0445€
50-99
0.0375€
100-499
0.0315€
500+
0.0237€
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Transistor NPN BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Voltaje colector-emisor VCEO: 45V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Ancho de banda MHz: 100MHz. Cantidad por caja: 1. Corriente del colector Ic [A]: 0.5A. 500mA. Corriente máxima 1: 0.8A. Costo): 10pF. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 250. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Embalaje original: 3000. Embalaje: bobina. FT: 170 MHz. Función: NF-TR. Ganancia máxima de hFE: 630. Ganancia mínima de hFE: 250. Ic (pulso): 1A. Información: -. Marcado en la caja: 6C. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.33W. Polaridad: bipolar. Potencia: 225mW. RoHS: sí. Serie: BC. Spec info: serigrafía/código SMD 6C. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Tipo de montaje: SMD. Tipo de transistor: NPN. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Vcbo: 50V. Velocidad: 5V. Voltaje (coleccionista - emisor): 50V. Voltaje de base coleccionista VCBO: 50V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:34

Documentación técnica (PDF)
BC817-40
41 parámetros
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Voltaje colector-emisor VCEO
45V
Corriente del colector
0.5A
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensión colector/emisor Vceo
45V
Ancho de banda MHz
100MHz
Cantidad por caja
1
Corriente del colector Ic [A]
0.5A
Corriente máxima 1
0.8A
Costo)
10pF
DC Collector/Base Gane Hfe Min.
250
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Embalaje original
3000
Embalaje
bobina
FT
170 MHz
Función
NF-TR
Ganancia máxima de hFE
630
Ganancia mínima de hFE
250
Ic (pulso)
1A
Marcado en la caja
6C
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.33W
Polaridad
bipolar
Potencia
225mW
RoHS
Serie
BC
Spec info
serigrafía/código SMD 6C
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.7V
Tipo de montaje
SMD
Tipo de transistor
NPN
Tipo
transistor para aplicaciones de baja potencia
Vcbo
50V
Velocidad
5V
Voltaje (coleccionista - emisor)
50V
Voltaje de base coleccionista VCBO
50V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor
Cantidad mínima
10

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