Transistor NPN BC856B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 65V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Voltaje colector-emisor VCEO: 65V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 65V. Ancho de banda MHz: 100MHz. Cantidad por caja: 1. Corriente del colector Ic [A]: 100mA. Costo): 4.5pF. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 220. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Equivalentes: ON Semiconductor BC856BLT1G. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 475. Ganancia mínima de hFE: 220. Ganar hfe: 290. Ic (pulso): 200mA. Información: -. Marcado en la caja: 3B. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Polaridad: bipolar. Potencia: 0.25W. RoHS: sí. Serie: BC. Spec info: serigrafía/código SMD 3B. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.065V. Tipo de montaje: SMD. Tipo de transistor: PNP. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Vcbo: 80V. Velocidad: 5V. Voltaje (coleccionista - emisor): 80V, 65V. Voltaje de base coleccionista VCBO: 80V. Producto original del fabricante: Nexperia. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:34