Transistor NPN BC857B, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, -45V, 45V, 100mA, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Voltaje colector-emisor VCEO: -45V. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. Corriente del colector: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Ancho de banda MHz: 100MHz. Cantidad por caja: 1. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente del colector Ic [A]: 100mA. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 220. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. FT: 150 MHz. Familia de componentes: transistor PNP. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Función: propósito general. Ganar hfe: 290. Ic (pulso): 200mA. Información: -. Marcado del fabricante: 3F. Marcado en la caja: 3F. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.33W. Polaridad: bipolar. Potencia: 0.25W. RoHS: sí. Serie: BC. Spec info: SMD KO0 3F. Temperatura máxima: +150°C.. Tipo de montaje: SMD. Tipo de transistor: PNP. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Vcbo: 50V. Velocidad: 5V. Voltaje (coleccionista - emisor): 50V, 45V. Voltaje de base coleccionista VCBO: -50V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:34