Transistor NPN BC859B, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. FT: 100 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 475. Ganancia mínima de hFE: 220. Ic (pulso): 200mA. Marcado en la caja: 3F. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: SMD 3F. Tecnología: Transistor plano epitaxial. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Diodes Inc. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:34