Transistor NPN BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V

Transistor NPN BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.33€
5-49
0.28€
50-99
0.25€
100-199
0.23€
200+
0.20€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 992

Transistor NPN BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: SOT-89. Vivienda (según ficha técnica): SOT89. Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Cantidad por caja: 1. Costo): 22pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 170 MHz. Función: -. Ganancia máxima de hFE: 375. Ganancia mínima de hFE: 160. Ic (pulso): 3A. Marcado en la caja: CDC. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 1.35W. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD CDC. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.5V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 32V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:34

Documentación técnica (PDF)
BC868-25-115
24 parámetros
Corriente del colector
2A
Vivienda
SOT-89
Vivienda (según ficha técnica)
SOT89
Tensión colector/emisor Vceo
20V
Cantidad por caja
1
Costo)
22pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
170 MHz
Ganancia máxima de hFE
375
Ganancia mínima de hFE
160
Ic (pulso)
3A
Marcado en la caja
CDC
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Pd (disipación de potencia, máx.)
1.35W
RoHS
Spec info
serigrafía/código SMD CDC
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
0.5V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
32V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Nxp Semiconductors

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