Transistor NPN BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A

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Transistor NPN BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A. Vivienda: SOT-223. Voltaje colector-emisor VCEO: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1A. Ancho de banda MHz: 130MHz. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente máxima 1: 1A. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 25. Disipación máxima Ptot [W]: 1.5W. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Frecuencia de corte pies [MHz]: 130 MHz. Información: -. Marcado del fabricante: BH. Número de terminales: 3. Polaridad: NPN. Potencia: 1.5W. RoHS: sí. Serie: BCP. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Tipo de montaje: SMD. Tipo: transistor para aplicaciones de baja potencia. Vivienda (norma JEDEC): TO-261. Voltaje de base coleccionista VCBO: 100V. Producto original del fabricante: Onsemi. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:48

Documentación técnica (PDF)
BCP56T1G
23 parámetros
Vivienda
SOT-223
Voltaje colector-emisor VCEO
80V
Corriente de colector Ic [A], máx.
1A
Ancho de banda MHz
130MHz
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Corriente máxima 1
1A
DC Collector/Base Gane Hfe Min.
25
Disipación máxima Ptot [W]
1.5W
Familia de componentes
transistor de potencia NPN
Frecuencia de corte pies [MHz]
130 MHz
Marcado del fabricante
BH
Número de terminales
3
Polaridad
NPN
Potencia
1.5W
RoHS
Serie
BCP
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión colector-emisor Uceo [V]
80V
Tipo de montaje
SMD
Tipo
transistor para aplicaciones de baja potencia
Vivienda (norma JEDEC)
TO-261
Voltaje de base coleccionista VCBO
100V
Producto original del fabricante
Onsemi