Transistor NPN BCR562E6327HTSA1, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor NPN BCR562E6327HTSA1, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0915€
50-99
0.0796€
100-199
0.0720€
200+
0.0617€
Cantidad en inventario: 236
Mín.: 10

Transistor NPN BCR562E6327HTSA1, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corriente del colector: 500mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 150 MHz. Función: Transistor digital de silicio PNP. Ganancia mínima de hFE: 50. Marcado en la caja: XUs. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.33W. Resistencia B: 4.7k Ohms. Resistencia BE: 4.7k Ohms. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:34

Documentación técnica (PDF)
BCR562E6327HTSA1
24 parámetros
Corriente del colector
500mA
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensión colector/emisor Vceo
50V
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
150 MHz
Función
Transistor digital de silicio PNP
Ganancia mínima de hFE
50
Marcado en la caja
XUs
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.33W
Resistencia B
4.7k Ohms
Resistencia BE
4.7k Ohms
RoHS
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.3V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
50V
Producto original del fabricante
Infineon Technologies
Cantidad mínima
10