Transistor NPN BD140, TO-126 (TO-225, SOT-32), -100V, 1.5A, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V

Transistor NPN BD140, TO-126 (TO-225, SOT-32), -100V, 1.5A, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.36€
5-24
0.30€
25-49
0.26€
50-99
0.24€
100+
0.20€
+1317 piezas adicionales disponibles en stock remoto (suministro en 4 horas). ¡Contáctanos para consultar precios y disponibilidad!
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 212

Transistor NPN BD140, TO-126 (TO-225, SOT-32), -100V, 1.5A, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Voltaje colector-emisor VCEO: -100V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 1.5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Acondicionamiento: tubus. Cantidad por caja: 1. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 1.5A. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Disipación máxima Ptot [W]: 12.5W. FT: 50 MHz. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Frecuencia de corte pies [MHz]: -. Frecuencia máxima: 50MHz. Frecuencia: 50MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 3A. Marcado del fabricante: BD140. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 12.5W. Polaridad: bipolar. Potencia: 12W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BD139. Tecnología: Transistor plano epitaxial. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Velocidad: 5V. Voltaje (coleccionista - emisor): 80V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 04:24

Documentación técnica (PDF)
BD140
42 parámetros
Vivienda
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Voltaje colector-emisor VCEO
-100V
Corriente del colector
1.5A
Vivienda (norma JEDEC)
SOT-32
Tensión colector-emisor Uceo [V]
80V
Corriente de colector Ic [A], máx.
1.5A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-126
Tensión colector/emisor Vceo
80V
Acondicionamiento
tubus
Cantidad por caja
1
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente del colector Ic [A]
1.5A
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Disipación máxima Ptot [W]
12.5W
FT
50 MHz
Familia de componentes
transistor de potencia PNP
Frecuencia máxima
50MHz
Frecuencia
50MHz
Función
NF-L
Ganancia máxima de hFE
250
Ganancia mínima de hFE
25
Ic (pulso)
3A
Marcado del fabricante
BD140
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
12.5W
Polaridad
bipolar
Potencia
12W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) BD139
Tecnología
Transistor plano epitaxial
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.5V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
80V
Velocidad
5V
Voltaje (coleccionista - emisor)
80V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics

Productos y/o accesorios equivalentes para BD140