Transistor NPN BD237, TO-126 (TO-225, SOT-32), 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V

Transistor NPN BD237, TO-126 (TO-225, SOT-32), 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.48€
5-49
0.40€
50-99
0.35€
100-199
0.31€
200+
0.27€
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Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 107

Transistor NPN BD237, TO-126 (TO-225, SOT-32), 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Voltaje colector-emisor VCEO: 80V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 2A. Corriente del colector: 2A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Acondicionamiento: tubus. Ancho de banda MHz: 3MHz. Cantidad por caja: 1. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 2A. Corriente máxima 1: 2A. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 25. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Disipación máxima Ptot [W]: 25W. FT: 3 MHz. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Frecuencia de corte pies [MHz]: -. Frecuencia: 3MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 25. Ic (pulso): 6A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: BD237. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Polaridad: bipolar. Potencia: 25W. RoHS: sí. Serie: BD. Spec info: transistor complementario (par) BD238. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): -. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Tipo: Potencia. Unidad de acondicionamiento: 50. Vcbo: 100V. Vivienda (norma JEDEC): SOT-32. Voltaje (coleccionista - emisor): 100V. Voltaje de base coleccionista VCBO: 100V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 04:24

Documentación técnica (PDF)
BD237
46 parámetros
Vivienda
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Voltaje colector-emisor VCEO
80V
Corriente de colector Ic [A], máx.
2A
Corriente del colector
2A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-126
Tensión colector/emisor Vceo
80V
Acondicionamiento
tubus
Ancho de banda MHz
3MHz
Cantidad por caja
1
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente del colector Ic [A]
2A
Corriente máxima 1
2A
DC Collector/Base Gane Hfe Min.
25
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Disipación máxima Ptot [W]
25W
FT
3 MHz
Familia de componentes
transistor de potencia NPN
Frecuencia
3MHz
Función
NF-L
Ganancia máxima de hFE
40
Ganancia mínima de hFE
25
Ic (pulso)
6A
Marcado del fabricante
BD237
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
25W
Polaridad
bipolar
Potencia
25W
RoHS
Serie
BD
Spec info
transistor complementario (par) BD238
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión colector-emisor Uceo [V]
80V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
0.6V
Tipo de montaje
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Tipo de transistor
NPN
Tipo
Potencia
Unidad de acondicionamiento
50
Vcbo
100V
Vivienda (norma JEDEC)
SOT-32
Voltaje (coleccionista - emisor)
100V
Voltaje de base coleccionista VCBO
100V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics

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