Transistor NPN BDT64C, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 2. Diodo BE: sí. Diodo CE: sí. FT: 10 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 1500. Ganancia mínima de hFE: 750. Ic (pulso): 20A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: transistor complementario (par) BDT65C. Tecnología: transistor Darlington. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Tf(máx.): 2.5us. Tf(mín.): 0.5us. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Velocidad: 2.5V. ¿Transistor Darlington?: sí. Producto original del fabricante: Philips Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 00:14