Transistor NPN BDV64BG, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V

Transistor NPN BDV64BG, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.96€
5-14
3.60€
15-29
3.29€
30-59
3.04€
60+
2.70€
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Cantidad en inventario: 55

Transistor NPN BDV64BG, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): -. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Frecuencia de corte pies [MHz]: -. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 20A. Marcado del fabricante: BDV64BG. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BDV65B. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Velocidad: 5V. ¿Transistor Darlington?: sí. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 00:14

Documentación técnica (PDF)
BDV64BG
30 parámetros
Vivienda
TO-247
Tensión colector-emisor Uceo [V]
100V
Corriente de colector Ic [A], máx.
10A
Corriente del colector
10A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247
Tensión colector/emisor Vceo
100V
Cantidad por caja
1
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Disipación máxima Ptot [W]
125W
Familia de componentes
Transistor de potencia Darlington PNP
Ganancia mínima de hFE
1000
Ic (pulso)
20A
Marcado del fabricante
BDV64BG
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
125W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) BDV65B
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
2V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
100V
Velocidad
5V
¿Transistor Darlington?
Producto original del fabricante
ON Semiconductor