Transistor NPN BDV64C-POW, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V

Transistor NPN BDV64C-POW, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V

Cantidad
Precio unitario
1-4
6.33€
5-14
5.94€
15-29
5.66€
30-59
5.39€
60+
4.88€
Cantidad en inventario: 21

Transistor NPN BDV64C-POW, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corriente del colector: 12A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 15A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) BDV65C. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Velocidad: 5V. ¿Transistor Darlington?: sí. Producto original del fabricante: Power Integrations. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 22:30

Documentación técnica (PDF)
BDV64C-POW
22 parámetros
Corriente del colector
12A
Vivienda
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-93
Tensión colector/emisor Vceo
120V
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Ganancia mínima de hFE
1000
Ic (pulso)
15A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
125W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) BDV65C
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
2V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
120V
Velocidad
5V
¿Transistor Darlington?
Producto original del fabricante
Power Integrations