Transistor NPN BDW93C, TO-220, 12A, 100V, 12A, TO-220AB, 100V

Transistor NPN BDW93C, TO-220, 12A, 100V, 12A, TO-220AB, 100V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.09€
5-24
0.91€
25-49
0.81€
50-99
0.72€
100+
0.61€
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Cantidad en inventario: 134

Transistor NPN BDW93C, TO-220, 12A, 100V, 12A, TO-220AB, 100V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 12A. Voltaje colector-emisor VCEO: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 12A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Acondicionamiento: tubus. Cantidad por caja: 2. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 12A. Corriente máxima 1: 12A. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 100. Diodo BE: no. Diodo CE: sí. Disipación máxima Ptot [W]: 80W. Estructura dieléctrica: transistor Darlington. FT: 20 MHz. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington NPN. Frecuencia de corte pies [MHz]: -. Función: transistor complementario (par) BDW94C. Ganancia máxima de hFE: 20000. Ganancia mínima de hFE: 100. Ganar hfe: 750. Ic (pulso): 15A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: BDW93C. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Polaridad: bipolar. Potencia: 80W. Resistencia BE: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. RoHS: sí. Serie: BDW93. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Tipo: transistor Darlington. Vcbo: 100V. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Voltaje (coleccionista - emisor): 100V. Voltaje de base coleccionista VCBO: 100V. ¿Transistor Darlington?: sí. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 22:30

Documentación técnica (PDF)
BDW93C
48 parámetros
Vivienda
TO-220
Corriente del colector
12A
Voltaje colector-emisor VCEO
100V
Corriente de colector Ic [A], máx.
12A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Tensión colector/emisor Vceo
100V
Acondicionamiento
tubus
Cantidad por caja
2
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente del colector Ic [A]
12A
Corriente máxima 1
12A
DC Collector/Base Gane Hfe Min.
100
Diodo BE
no
Diodo CE
Disipación máxima Ptot [W]
80W
Estructura dieléctrica
transistor Darlington
FT
20 MHz
Familia de componentes
Transistor de potencia Darlington NPN
Función
transistor complementario (par) BDW94C
Ganancia máxima de hFE
20000
Ganancia mínima de hFE
100
Ganar hfe
750
Ic (pulso)
15A
Marcado del fabricante
BDW93C
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
80W
Polaridad
bipolar
Potencia
80W
Resistencia BE
R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms
RoHS
Serie
BDW93
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensión colector-emisor Uceo [V]
100V
Tensión de saturación VCE(sat)
2V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
3V
Tipo de montaje
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Tipo de transistor
NPN
Tipo
transistor Darlington
Vcbo
100V
Vivienda (norma JEDEC)
TO-220AB
Voltaje (coleccionista - emisor)
100V
Voltaje de base coleccionista VCBO
100V
¿Transistor Darlington?
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics