Transistor NPN BF421, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA, 50mA, TO-92, 300V

Transistor NPN BF421, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA, 50mA, TO-92, 300V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0611€
50-99
0.0505€
100+
0.0437€
Cantidad en inventario: 20777
Mín.: 10

Transistor NPN BF421, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA, 50mA, TO-92, 300V. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 300V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. Corriente del colector: 50mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Cantidad por caja: 1. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Diodo CE: sí. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. FT: 80 MHz. Familia de componentes: transistor PNP de alto voltaje. Frecuencia de corte pies [MHz]: 60 MHz. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 100mA. Marcado del fabricante: BF421. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 830mW. RoHS: no. Spec info: transistor complementario (par) BF420. Tecnología: Transistor plano triple difuso. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31

Documentación técnica (PDF)
BF421
33 parámetros
Vivienda
TO-92
Vivienda (norma JEDEC)
TO-226AA
Tensión colector-emisor Uceo [V]
300V
Corriente de colector Ic [A], máx.
500mA
Corriente del colector
50mA
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92
Tensión colector/emisor Vceo
300V
Cantidad por caja
1
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Diodo CE
Disipación máxima Ptot [W]
0.625W
FT
80 MHz
Familia de componentes
transistor PNP de alto voltaje
Frecuencia de corte pies [MHz]
60 MHz
Ganancia mínima de hFE
40
Ic (pulso)
100mA
Marcado del fabricante
BF421
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
830mW
RoHS
no
Spec info
transistor complementario (par) BF420
Tecnología
Transistor plano triple difuso
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.2V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
300V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Toshiba
Cantidad mínima
10