Transistor NPN BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V

Transistor NPN BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.08€
5-24
2.85€
25-49
2.69€
50-99
2.58€
100+
2.39€
Cantidad en inventario: 113

Transistor NPN BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Corriente del colector: 200mA. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 15V. Cantidad por caja: 1. Costo): 0.7pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 7GHz. Función: Para amplificador de antena VHF/UHF y aplicaciones de comunicación RF. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 60. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -60...+150°C. Temperatura: +150°C. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Velocidad: 3V. Producto original del fabricante: Philips Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31

Documentación técnica (PDF)
BFG591
23 parámetros
Corriente del colector
200mA
Vivienda
SOT-223 ( TO-226 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-223
Tensión colector/emisor Vceo
15V
Cantidad por caja
1
Costo)
0.7pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
7GHz
Función
Para amplificador de antena VHF/UHF y aplicaciones de comunicación RF
Ganancia máxima de hFE
250
Ganancia mínima de hFE
60
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
4
Pd (disipación de potencia, máx.)
2W
RoHS
Temperatura de funcionamiento
-60...+150°C
Temperatura
+150°C
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
20V
Velocidad
3V
Producto original del fabricante
Philips Semiconductors