Transistor NPN BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V

Transistor NPN BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.41€
5-49
0.33€
50-99
0.29€
100-199
0.26€
200+
0.22€
Cantidad en inventario: 65

Transistor NPN BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Corriente del colector: 80mA. Vivienda: SOT-143. Vivienda (según ficha técnica): SOT-143. Tensión colector/emisor Vceo: 12V. C(pulg): 0.9pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 0.28pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 8GHz. Función: UHF wideband transistor. Ganancia máxima de hFE: 140. Ganancia mínima de hFE: 70. Marcado en la caja: RC. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 580mW (total 380mW). RoHS: sí. Spec info: RC de serigrafía/código SMD. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Velocidad: 2V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31

Documentación técnica (PDF)
BFP193E6327
25 parámetros
Corriente del colector
80mA
Vivienda
SOT-143
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-143
Tensión colector/emisor Vceo
12V
C(pulg)
0.9pF
Cantidad por caja
1
Costo)
0.28pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
8GHz
Función
UHF wideband transistor
Ganancia máxima de hFE
140
Ganancia mínima de hFE
70
Marcado en la caja
RC
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
4
Pd (disipación de potencia, máx.)
580mW (total 380mW)
RoHS
Spec info
RC de serigrafía/código SMD
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
20V
Velocidad
2V
Producto original del fabricante
Infineon Technologies