Transistor NPN BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

Transistor NPN BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

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Transistor NPN BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Corriente del colector: 35mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 12V. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 6GHz. Función: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Ganancia máxima de hFE: 90. Ganancia mínima de hFE: 40. Marcado en la caja: R2. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Spec info: SMD R2. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tipo de transistor: NPN. Unidad de acondicionamiento: 3000. Vcbo: 15V. Velocidad: 2V. Producto original del fabricante: Philips Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31

Documentación técnica (PDF)
BFR93A
24 parámetros
Corriente del colector
35mA
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensión colector/emisor Vceo
12V
Acondicionamiento
rollo
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
6GHz
Función
UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.
Ganancia máxima de hFE
90
Ganancia mínima de hFE
40
Marcado en la caja
R2
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.3W
Spec info
SMD R2
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tipo de transistor
NPN
Unidad de acondicionamiento
3000
Vcbo
15V
Velocidad
2V
Producto original del fabricante
Philips Semiconductors