Transistor NPN BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

Transistor NPN BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

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Transistor NPN BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Corriente del colector: 25mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 20V. Cantidad por caja: 1. FT: 450 MHz. Función: Circuito de película gruesa y fina IF y VHF. Ganancia máxima de hFE: 140. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 25mA. Marcado en la caja: G1*. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: Serigrafía/código SMD G1p, G1t, G1W. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Velocidad: 4 v. Producto original del fabricante: Diodes Inc. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31

Documentación técnica (PDF)
BFS20
23 parámetros
Corriente del colector
25mA
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensión colector/emisor Vceo
20V
Cantidad por caja
1
FT
450 MHz
Función
Circuito de película gruesa y fina IF y VHF
Ganancia máxima de hFE
140
Ganancia mínima de hFE
40
Ic (pulso)
25mA
Marcado en la caja
G1*
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Nota
Serigrafía/código SMD G1p, G1t, G1W
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
200mW
RoHS
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
30 v
Velocidad
4 v
Producto original del fabricante
Diodes Inc
Cantidad mínima
10